欢迎访问第二届全国有机场效应晶体管会议(OFET-2)

会议介绍

  经组委会商议确定,第二届全国有机场效应晶体管会议拟于2019年12月12日至15日在北京大学深圳研究生院召开届时将邀请国内外相关领域的知名学者,包括两院院士、长江学者、国家杰出青年基金获得者等,就OFETs材料、器件及其相关学术、技术及工程研究领域前沿的科学问题和科研成果进行广泛深入的交流和研讨,为OFETs工作者提供一个高水平的交流平台,共同探讨OFETs的未来,推动OFETs研究向更高目标迈进。会议组委会竭诚欢迎各位专家学者与企业界朋友莅临本届会议,共同探讨OFETs领域的重大科学共性问题与产业化发展路径,推动OFETs材料与器件进一步发展。

会议主题

本次研讨会将围绕有机场效应晶体管材料、器件、产业化技术、工程化应用等相关最新的学术和技术问题展开讨论。
主要内容包括以下方面:
1. 有机半导体材料的设计、分子计算模拟、合成和表征
2. 有机半导体薄膜的生长、共混、形貌控制和制备工艺
3. 介电材料、导电材料和界面材料的设计合成
4. 分子器件和有机单晶及共晶生长和晶体管器件制备工艺
5. 晶体管器件物理、机理、建模和结构设计
6. 晶体管存储、反相、忆阻器,发光晶体管,光探测和光调制器件及应用集成
7. 化学和生物晶体管传感器、生物可降解及柔性可拉伸电子材料与器件
8. 器件可靠性、光电稳定性及高低温评估
9. 二维材料/碳纳米管/钙钛矿/无机氧化物FETs
10. 可印刷电子材料、电子纸、RFID等印刷和图案化方法

参会人员(更新中)

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重要日期

摘要提交截止日期:
2019年11月15日
 
注册优惠截止日期:
2019年11月15日
 
报到日期: 
2019年12月12日
 
会议日期:
2019年12月12日-2019年12月15日

会议日程安排

会议日程初步安排,请以会前最后一轮通知为准:
2019年12月12日:会议报到、注册
2019年12月13日:会议进行
2019年12月14日:会议进行
2019年12月15日:光电显示研究中心考察,团体活动和自由交流

会议赞助

会议赞助联系人:张非   
联系电话: 18680322139 
联系邮箱:feizhang@pku.edu.cn 
地址:深圳市南山区大学城北大园区G306A 

主办单位

主办单位:北京大学深圳研究生院
承办单位:新材料学院
协办单位:深圳中国科学院院士活动基地
学术委员会成员:
  名誉主席:朱道本
  会议主席:黄维、刘云圻、胡文平、孟鸿
  学术委员:(按拼音排序)Antonio F Facchetti、陈红征、陈润锋、陈伟、陈永胜、狄重安、董焕丽、高希珂、耿延候、郭小军、郭旭岗、郭雪峰、郭云龙、韩素婷、黄佳、江浪、解令海、李寒莹、李洪祥、李振、梁永晔、卢月玲(Yueh-Lin Loo)、缪谦、欧阳建勇、Perepichka Igor、Perepichka Dmitrii、裴坚、彭俊彪、帅志刚、王朝晖、王建浦、王欣然、许建斌、颜河、闫东航、严锋、仪明东、于贵、张德清、张浩力、张晗、张婕、张其春、张盛东

赞助单位

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